| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Щербакова, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Севастополь | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-02-02T06:17:54Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-02T06:17:54Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием / И. И. Абрамов [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 33-й Международной Крымской конференции (КрыМиКо’2023), Севастополь, 10–16 сентября 2023 / Севастопольский государственный университет. – Севастополь, 2023. – C. 140. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54184 | - |
| dc.description.abstract | В работе рассмотрено моделирование вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов (РТД) с вертикальным транспортом, а также возможность моделирования устройств с
последовательным туннелированием. Расчеты проводились с использованием разработанной комбинированной модели, основанной на численном решении уравнений Шредингера и Пуассона в активной области прибора. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Институт радиоэлектроники и интеллектуальных технических систем Севастопольского государственного университета | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | вольт-амперные характеристики | en_US |
| dc.subject | диоды | en_US |
| dc.subject | резонансно-туннельные диоды | en_US |
| dc.subject | вертикальный транспорт | en_US |
| dc.title | Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
