| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Щербакова, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Севастополь | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-02-02T06:26:38Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-02T06:26:38Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Абрамов, И. И. Алгоритм и программа, реализующие модель полевых транзисторов на двухслойном графене / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, И. Ю. Щербакова // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 33-й Международной Крымской конференции (КрыМиКо’2023), Севастополь, 10–16 сентября 2023 / Севастопольский государственный университет. – Севастополь, 2023. – C. 141–142. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54186 | - |
| dc.description.abstract | На основе предложенной квантовой диффузионно-дрейфовой модели полевых транзисторов на
двухслойном графене разработаны алгоритм и программное обеспечение, позволяющее рассчитывать выходные характеристики исследуемых приборов в зависимости от конструктивно-технологических параметров структур, а также вычислять значения ряда параметров. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Институт радиоэлектроники и интеллектуальных технических систем Севастопольского государственного университета | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | полевые транзисторы | en_US |
| dc.subject | графены | en_US |
| dc.subject | вольт-амперные характеристики | en_US |
| dc.title | Алгоритм и программа, реализующие модель полевых транзисторов на двухслойном графене | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
