| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Доан, Тхе Хоанг | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-02-13T13:36:21Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-13T13:36:21Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Доан, Тхе Хоанг. Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Тхе Хоанг Доан ; науч. рук. Д. А. Голосов. – Минск : БГУИР, 2023. – 21 с. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54251 | - |
| dc.description.abstract | Целью исследования является разработка методов контролируемого
формирования тонких пленок сложных оксидов реактивным магнетронным
распылением составных мишеней, методов контроля и управления их составом, электрофизическими свойствами, которые определяют возможность использования данного класса пленок в качестве диэлектрических слоев современных МОП интегральных схем. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | en_US |
| dc.subject | тонкие пленки | en_US |
| dc.subject | сложные оксиды | en_US |
| dc.subject | составные мишени | en_US |
| dc.title | Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Appears in Collections: | 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
|
