| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Демидович, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
| dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-03-01T08:15:54Z | - |
| dc.date.available | 2024-03-01T08:15:54Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме = Deposition of SiNx Films with Controlled Residual Stress from SiH4-NH3-He Gaseous Mixture in Inductively Coupled Plasma / Н. С. Ковальчук [и др.] // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 1. – С. 5–12. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54464 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы остаточные механические напряжения в пленках SiNx, осажденных на кремниевые подложки из смеси газов SiH4-NH3-He в реакторе индуктивно связанной плазмы при температуре 150 °С. Показано, что величиной и знаком остаточных механических напряжений можно управлять
за счет изменения условий осаждения пленок. Варьируя соотношением расходов реагирующих газов, мощ ностью плазменного источника и давлением в реакционной камере, можно получать пленки SiNx с растягивающими или сжимающими остаточными напряжениями. Оценен дрейф напряжений в течение четырех недель после осаждения пленок. Отмечено, что для нитридных пленок с остаточными напряжениями, изначально близкими к нулю, при хранении наблюдается рост уровня сжимающих напряжений до (–300) МПа. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | механические напряжения | en_US |
| dc.subject | кремниевые подложки | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
| dc.title | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме | en_US |
| dc.title.alternative | Deposition of SiNx Films with Controlled Residual Stress from SiH4-NH3-He Gaseous Mixture in Inductively Coupled Plasma | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-1-5-12 | - |
| local.description.annotation | We have studied residual mechanical stresses of SiNx films deposited on silicon substrates from a SiH4-NH3-He gaseous mixture in an inductively coupled plasma reactor at a deposition temperature of 150 °C.
By varying the flow rate ratio of the reacting gases, the power of the plasma source and the pressure in the reaction chamber, it is possible to obtain SiNx films with tensile or compressive residual stresses. The stress drift was estimated within four weeks after film deposition. It has been shown that for nitride films with residual stresses initially close to zero, an increase in the level of compressive stresses to (–300) MPa is observed during storage. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 22, № 1
|
