DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
dc.contributor.author | Матусевич, П. А. | - |
dc.contributor.author | Митрофанов, А. Д. | - |
dc.contributor.author | Сурвило, И. С. | - |
dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
dc.date.accessioned | 2024-06-25T11:18:49Z | - |
dc.date.available | 2024-06-25T11:18:49Z | - |
dc.date.issued | 2024 | - |
dc.identifier.citation | Исследование особенностей физического процесса переноса носителей заряда в графене, входящем в состав гетероструктурного полупроводникового прибора / В. Н. Мищенко [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХXII Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 12 июня 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2024. – С. 58–59. | en_US |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56194 | - |
dc.description.abstract | Приведены результаты моделирования особенностей физического процесса
переноса носителей заряда в графене, входящем в состав гетероструктурного
полупроводникового прибора. | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | БГУИР | en_US |
dc.subject | материалы конференций | en_US |
dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
dc.subject | графены | en_US |
dc.title | Исследование особенностей физического процесса переноса носителей заряда в графене, входящем в состав гетероструктурного полупроводникового прибора | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Appears in Collections: | ТСЗИ 2024
|