| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Уткина, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Воробьева, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Меледина, М. В. | - |
| dc.contributor.author | Ходин, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-06-26T12:56:30Z | - |
| dc.date.available | 2024-06-26T12:56:30Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Электрохимическое осаждение буферного слоя на основе оксисульфидов цинка-олова для фотоэлектрических преобразователей / Е. А. Уткина [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХXII Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 12 июня 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2024. – С. 91–92. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56241 | - |
| dc.description.abstract | Для создания современных фотоэлектрических преобразователей исследуются
полупроводниковые материалы на основе оксисульфидов цинка-олова
для использования в качестве бескадмиевого буферного слоя. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые материалы | en_US |
| dc.subject | фотоэлектрические преобразователи | en_US |
| dc.title | Электрохимическое осаждение буферного слоя на основе оксисульфидов цинка-олова для фотоэлектрических преобразователей | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2024
|
