Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57245
Title: Метод обобщенного градиентного приближения в форме PBE для определения ширины запрещенной зоны полупроводников
Other Titles: The generalized gradient approximation method in the form of PBE for determining the band gap of semiconductor
Authors: Шведун, А. В.
Маркусенко, Н. С.
Keywords: материалы конференций;полупроводники;запрещенная зона;среда открытого бета-тестирования
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Шведун, А. В. Метод обобщенного градиентного приближения в форме PBE для определения ширины запрещенной зоны полупроводников = The generalized gradient approximation method in the form of PBE for determining the band gap of semiconductor / А. В. Шведун, Н. С. Маркусенко // Электронные системы и технологии : сборник материалов 60-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 697–698.
Abstract: Обзор методики применения функционала PBE для определения толщины запрещенной зоны полупроводников. Рассмотрены важные аспекты, связанные с расчетами электронной структуры и теорией функционала плотности.
Alternative abstract: Review of the methodology of PBE functional application for determining the thickness of the band gap of semiconductors. Important aspects related to electronic structure calculations and density functional theory are considered.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57245
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 60-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2024)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
SHvedun_Metod.pdf174.08 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.