Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57811
Title: Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs
Authors: Кратович, П. С.
Keywords: авторефераты диссертаций;наноэлектроника;приборное моделирование;гетеропереходный биполярный транзистор
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Кратович, П. С. Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 01 / Кратович Павел Сергеевич ; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2024. – 11 с.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57811
Appears in Collections:1-41 80 01 Микро- и наноэлектроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kratovich_Geteroperekhodnyj.pdf484.3 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.