Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58192
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛопато, У. П.-
dc.contributor.authorЛапутько, Д. Д.-
dc.contributor.authorГревцов, Н. Л.-
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2024-11-06T11:38:04Z-
dc.date.available2024-11-06T11:38:04Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationЛопато, У. П. Особенности структуры пористого кремния, сформированного на сильнолегированных пластинах монокристаллического кремния электронного типа проводимости = Structural Features of Porous Silicon Formed on Heavily Doped Plates of Single-Crystal Silicon with Electron Conductivity / У. П. Лопато, Д. Д. Лапутько, Н. Л. Гревцов, В. П. Бондаренко // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 5. – С. 17–25.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58192-
dc.description.abstractС помощью сканирующей электронной микроскопии изучены структуры поверхности и внутренних областей пористого кремния, полученного анодированием сильнолегированных пластин монокристаллического кремния электронного типа проводимости в растворе фтористоводородной кислоты при различных плотностях тока. Установлено, что на поверхности пористого кремния имеются поры темно-серого и светло-серого цветов, отличающиеся размерами и плотностью расположения. Поры темно-серого цвета имеют большие размеры, а их плотность примерно в 5–10 раз меньше, чем плотность светло-серых пор. Показано, что поры светло-серого цвета представляют собой неразвившиеся поры небольшой глубины, а темно-серые являются входными отверстиями глубоких пор бутылкообразной формы, проходящих от поверхности вглубь монокристалла. Эквивалентные диаметры светло-серых пор на поверхности пористого кремния составляют 12–15 нм и практически не зависят от плотности анодного тока. При этом эквивалентные диаметры темно-серых пор и средние расстояния между их центрами увеличиваются по линейному закону от 15 до 35 нм на поверхности и от 35 до 120 нм для внутренних областей пористого кремния при увеличении плотности тока от 30 до 90 мА/см2. Средняя толщина элементов кремниевого скелета на поверхности составляет около 3 нм и увеличивается до 5–6 нм во внутренних областях пористого кремния. Задавая плотность анодного тока, можно получать слои пористого кремния с различными структурными параметрами. Результаты исследований имеют практическую значимость для формирования композитных материалов на основе пористого кремния, который используется как пористая матрица для осаждения металлов и полупроводников.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectдоклады БГУИРen_US
dc.subjectэлектронная микроскопияen_US
dc.subjectэлектрохимическое анодированиеen_US
dc.subjectанализ изображенийen_US
dc.titleОсобенности структуры пористого кремния, сформированного на сильнолегированных пластинах монокристаллического кремния электронного типа проводимостиen_US
dc.title.alternativeStructural Features of Porous Silicon Formed on Heavily Doped Plates of Single-Crystal Silicon with Electron Conductivityen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIhttp://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-17-25-
local.description.annotationUsing scanning electron microscopy, the structures of the surface and internal regions of porous silicon obtained by anodizing heavily doped plates of single-crystal silicon with electron conductivity in a hydrofluoric acid solution at different current densities were studied. It is found that the porous silicon surface has dark gray and light gray pores, which differ in size and surface distribution density. Dark gray pores possess larger sizes, and their density is about 5–10 times less than that of light gray pores. Based on the cross-section imagery, it is shown that light gray pores correspond to underdeveloped channels of small depth, while dark gray pores are the entrance points of deep bottle-shaped channels passing from the surface into the depth of the silicon wafer. The equivalent diameters of light gray pores on the surface of porous silicon are 12–15 nm and are practically independent of the anodic current density. At the same time, the equivalent diameters of dark gray pores and average distances between their centers increase linearly from 15 to 35 nm on the surface and from 35 to 120 nm in the volume of porous silicon when the current density is increased from 30 to 90 mA/cm2. The average thickness of silicon skeleton elements is about 3 nm on the surface and increases to 5–6 nm in the volume. By setting the density of the anode current, it is possible to obtain layers of porous silicon with different structural parameters. The obtained research results have practical significance for the formation of composite materials based on porous silicon, which can be used as a porous matrix for the deposition of metals and semiconductors.en_US
Appears in Collections:Том 22, № 5

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lopato_Osobennosti.pdf1.92 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.