Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58203
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТашлыкова-Бушкевич, И. И.-
dc.coverage.spatialМоскваen_US
dc.date.accessioned2024-11-11T07:49:00Z-
dc.date.available2024-11-11T07:49:00Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationТашлыкова-Бушкевич, И. И. Эволюция наноструктуры в процессе роста тонких пленок сплавов алюминия на стекле при ионно-ассистированном осаждении / И. И. Ташлыкова-Бушкевич // Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами : тезисы докладов 53-й международной Тулиновской конференции, Москва, 28–30 мая 2024 г. / Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына ; ред.: М. И. Панасюк. – Москва, 2024. – С. 94.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58203-
dc.description.abstractЦель настоящей работы заключается в исследовании наноструктуры, морфологии, смачиваемости пленок сплавов алюминия и их зависимости от условий формирования, чтобы целенаправленно управлять свойствами поверхности изделий. Представлены данные сравнительного анализа тонких пленок сплавов Al‒Fe и Al‒Cr на стеклянных подложках, сформированных пассивным ионным и ионно-ассистируемым осаждением.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherМГУ им. М.В. Ломоносоваen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectионно-ассистированное осаждениеen_US
dc.subjectсканирующая зондовая микроскопияen_US
dc.subjectрастровая электронная микроскопияen_US
dc.subjectметод покоящейся каплиen_US
dc.titleЭволюция наноструктуры в процессе роста тонких пленок сплавов алюминия на стекле при ионно-ассистированном осажденииen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tashlykova_Bushkevich_EHvolyuciya.pdf71.99 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.