| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-11-13T07:19:23Z | - |
| dc.date.available | 2024-11-13T07:19:23Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Малевич, В. Л. Нелинейное поглощение терагерцового излучения свободными носителями заряда в полярных полупроводниках = Nonlinear Absorption of Teraherts Radiation by Free Charge Carriers in Polar Semiconductors / В. Л. Малевич // Журнал прикладной спектроскопии. – 2024. – Том 91, № 1. – С. 22–26. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58229 | - |
| dc.description.abstract | Получено аналитическое выражение для коэффициента поглощения интенсивного терагерцового излучения свободными электронами в полупроводнике, когда основным механизмом рассеяния электронов является спонтанное испускание полярных оптических фононов. Показано, что коэффициент поглощения резко возрастает, когда средняя энергия колебаний электрона в терагерцовом поле превышает энергию оптического фонона. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Институт физики НАН Беларуси | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | терагерцовое излучение | en_US |
| dc.subject | полупроводники | en_US |
| dc.subject | нелинейное поглощение | en_US |
| dc.subject | свободные носители заряда | en_US |
| dc.subject | полярные оптические фононы | en_US |
| dc.title | Нелинейное поглощение терагерцового излучения свободными носителями заряда в полярных полупроводниках | en_US |
| dc.title.alternative | Nonlinear Absorption of Teraherts Radiation by Free Charge Carriers in Polar Semiconductors. | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | A formula is obtained for the absorption coefficient of intense terahertz radiation by free electrons in a semiconductor when the main mechanism of electron scattering is the spontaneous emission of polar optical phonons. It is shown that the absorption coefficient increases sharply when the average energy of electron oscillations in the terahertz field exceeds the energy of the optical phonon. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
