Анизотропия продольной теплопроводности в (001), (110) и (111)-ориентированных слоистых Si/Ge плёнках

Хомец, А. Л.; Сафронов, И. В.; Филонов, А. Б.; Мигас, Д. Б.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58797

Title:	Анизотропия продольной теплопроводности в (001), (110) и (111)-ориентированных слоистых Si/Ge плёнках
Other Titles:	Anisotropy of in-plane thermal conductivity of (001), (110) and (111)-oriented layered Si/Ge thin-films
Authors:	Хомец, А. Л. Сафронов, И. В. Филонов, А. Б. Мигас, Д. Б.
Keywords:	материалы конференций;термоэлектрические материалы;молекулярная динамика;фононная теплопроводность
Issue Date:	2024
Publisher:	БГУИР
Citation:	Анизотропия продольной теплопроводности в (001), (110) и (111)-ориентированных слоистых Si/Ge плёнках = Anisotropy of in-plane thermal conductivity of (001), (110) and (111)-oriented layered Si/Ge thin-films / А. Л. Хомец, И. В. Сафронов, А. Б. Филонов, Д. Б. Мигас // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 54–57.
Abstract:	В работе с помощью метода молекулярной динамики проведено исследование влияния поверхности и границ раздела на анизотропию продольной теплопроводности слоистых Si/Ge плёнок с (001), (110) и (111) ориентациями. Показано, что анизотропный тепловой транспорт в слоистых Si/Ge плёнках характерен для (001) и (110) ориентаций, в то время как в Si/Ge сверхрешётках анизотропия сохраняется только в случае (110) ориентации. Обсуждено изменение фононных дисперсионных кривых, а также влияние фонон-поверхностного и фонон-интерфейсного рассеяния в возникновении анизотропии.
Alternative abstract:	In this work by means molecular dynamics method the effect of surface and interfaces on the anisotropy of the in-plane thermal conductivity of layered Si/Ge films with (001), (110) and (111) orientations were studied. It was shown that the anisotropic thermal transport in layered Si/Ge thin-films is typical of (001) and (110) orientations, while in Si/Ge superlattices anisotropy is retained only in the case of (110) orientation. The change in phonon dispersion curves and the influence of phonon-surface and phonon-interface scattering on the occurrence of anisotropy was studied.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58797
Appears in Collections:	Компьютерное проектирование в электронике (2024)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Homec_Azinotropiya.pdf		731.01 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar