| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лазарук, С. К. | - |
| dc.contributor.author | Лешок, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Долбик, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Томашевич, Л. П. | - |
| dc.contributor.author | Клюцкий, А. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Дудич, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Шабуня, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Ефименко, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Кицюк, Е. П. | - |
| dc.contributor.author | Рязанов, Р. М. | - |
| dc.contributor.author | Басаев, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Светухин, В. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-17T06:25:19Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-17T06:25:19Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Разработка лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния для гигагерцового диапазона частот = Development of avalanche leds based on nanostructured silicon for the gigahertz frequency range / С. К. Лазарук, А. А. Лешок, А. В. Долбик [и др.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 79–82. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58799 | - |
| dc.description.abstract | Разработаны конструкция и технология изготовления лавинных светодиодов на основе
наноструктурированного кремния. Сформированы матрицы светодиодов с различной рабочей
площадью. Измерение емкости светодиодов показало, что уменьшение рабочей площади светодиодов
позволяет снизить суммарную емкость устройства до десятых долей пикофарад, что позволяет
лавинным светодиодам функционировать в гигагерцовом диапазоне частот. Даны рекомендации по
дальнейшему увеличению быстродействия лавинных светодиодов вплоть до терагерцового диапазона
частот. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | наноструктурированный кремний | en_US |
| dc.subject | лавинные светодиоды | en_US |
| dc.subject | кремниевая фотоника | en_US |
| dc.subject | оптические межсоединения | en_US |
| dc.title | Разработка лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния для гигагерцового диапазона частот | en_US |
| dc.title.alternative | Development of avalanche leds based on nanostructured silicon for the gigahertz frequency range | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The design and manufacturing technology of avalanche LEDs based on nanostructured silicon have
been developed. LED matrices with different working areas have been formed. The investigation of the LEDs
capacity has shown that decreasing their working area allows to reduce the total capacity of the structure to
tenths of picofarads, which allows avalanche LEDs to operate in the gigahertz frequency range.
Recommendations for further increasing the speed of avalanche LEDs up to their operation in the terahertz
frequency range are given. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
