| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ворсин, Н. Н. | - |
| dc.contributor.author | Гладыщук, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Кушнер, Т. Л. | - |
| dc.contributor.author | Тарасюк, Н. П. | - |
| dc.contributor.author | Чугунов, С. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-17T07:15:44Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-17T07:15:44Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN = Modeling AlGaN heterojunction field-effect transistor / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер [и др.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 50–53. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58808 | - |
| dc.description.abstract | Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является
перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов,
лазеров, СВЧ микросхем. Замена кремния на GaN позволяет повысить рабочую температуру,
граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых
приборах. Компьютерное моделирование физических процессов является необходимым элементом
освоения новых электронных устройств. В настоящей работе представлены результаты
моделирования мощного полевого транзистора на основе полупроводникового соединения AlGaN. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | гетеропереходные транзисторы | en_US |
| dc.subject | нитрид галлия | en_US |
| dc.subject | нитрид алюминия | en_US |
| dc.subject | диффузионно-дрейфовые модели | en_US |
| dc.subject | градиент электронной плотности | en_US |
| dc.subject | поляризация | en_US |
| dc.subject | вольтамперная характеристика | en_US |
| dc.title | Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN | en_US |
| dc.title.alternative | Modeling AlGaN heterojunction field-effect transistor | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | AlGaN ternary alloys with a band gap of 3.4 to 6.2 eV are promising materials for the construction of
various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows
several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the
switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic
devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction fieldeffect
transistor (FET) based on AlxGax-1N was developed using the COMSOL Multiphysics software,
including its CVC and other parameters. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
