| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мельникова, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Курапцова, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-17T07:30:53Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-17T07:30:53Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Мельникова, В. В. Зарядовая неустойчивость транзисторной структуры с двумерным каналом, вызванная интерфейсными состояниями = Charge instability of a transistor structure with a two-dimensional channel caused by interface states / В. В. Мельникова, А. А. Курапцова // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 116–118. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58809 | - |
| dc.description.abstract | Получены закономерности зарядовой неустойчивости транзисторной структуры с двумерным каналом, вызванной интерфейсными состояниями, в которой в качестве материала двумерного канала рассматривается дихалькогенид переходного металла (ДПМ). Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны материала канала, толщины подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Показано, что в условиях неустойчивости, вызываемой ростом емкости интерфейсных состояний, зависимости химического потенциала, концентрации электронов от потенциала полевого электрода имеют скачкообразный вид. Такой эффект обусловливается рассогласованием электронейтральности и статистики Ферми-Дирака. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | электрохимический потенциал | en_US |
| dc.subject | транзисторная структура | en_US |
| dc.subject | квантовая емкость | en_US |
| dc.subject | бистабильность | en_US |
| dc.title | Зарядовая неустойчивость транзисторной структуры с двумерным каналом, вызванная интерфейсными состояниями | en_US |
| dc.title.alternative | Charge instability of a transistor structure with a two-dimensional channel caused by interface states | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Regularities of charge instability of transistor structure with two-dimensional channel caused by interface states, in which transition metal dichalcogenide (TMD) is considered as a material of two-dimensional channel, are obtained. It is shown that under the conditions of instability caused by the growth of the interface states capacitance, the dependences of the chemical potential, electron concentration from the field electrode potential have a jump-like form. The obtained results are explained by the fact that under the conditions of instability the growth of the interface state capacitance leads to the mismatch of the electroneutrality condition and Fermi-Dirac statistics. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
