| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Mishchanka, V. N. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-17T07:41:46Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-17T07:41:46Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Mishchanka, V. N. First-principles modeling of electron-phonon scattering rates in hydrogenated graphene = Моделирование из первых принципов интенсивностей электронно-фононного рассеивания в гидрированном графене / V. N. Mishchanka // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 15–19. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58810 | - |
| dc.description.abstract | Graphene has a high mobility of charge carriers, which exceeds the mobility of charge carriers for all known materials, and is currently considering as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices. The results of modeling of electron scattering rates on acoustic and optical phonons in a single layer of hydrogenated graphene C2H2 type without a substrate are presented. When modeling these rates, variants of both emission and absorption of phonons are considered. The obtained dependences of the charge carrier scattering rates will allow us to study the main characteristics of charge carrier transport in semiconductor structures containing different layers by modeling using the Monte Carlo method.
Characteristics and parameters of graphene and its modifications can be used to create new heterostructured devices with improved output characteristics. | en_US |
| dc.language.iso | en | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | modelling | en_US |
| dc.subject | graphene | en_US |
| dc.subject | semiconductor structure | en_US |
| dc.title | First-principles modeling of electron-phonon scattering rates in hydrogenated graphene | en_US |
| dc.title.alternative | Моделирование из первых принципов интенсивностей электронно-фононного рассеивания в гидрированном графене | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Графен обладает высокой подвижностью носителей заряда, превышающей подвижность носителей заряда для всех известных материалов, и в настоящее время рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов. Представлены результаты моделирования интенсивностей рассеяния электронов на акустических и оптических фононах в однослойном гидрированном графене типа C2H2 без подложки. При моделировании этих интенсивностей рассмотрены варианты как испускания, так и поглощения фононов. Полученные зависимости интенсивностей рассеяния носителей заряда позволят исследовать основные характеристики их транспорта в полупроводниковых структурах при моделировании с использованием метода Монте-Карло. Характеристики и параметры гидрированного графена могут быть использованы для создания новых гетероструктурных приборов с улучшенными выходными характеристиками. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
