| Title: | Оптическое моделирование тонкопленочного ИК-светодиода на основе коллоидных квантовых точек |
| Other Titles: | Optical modeling of thin film IR quantum dot light emitting diode |
| Authors: | Туровец, У. Е. |
| Keywords: | материалы конференций;FDTD-моделирование;светодиоды;эффективность извлечения света;QLED |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Туровец, У. Е. Оптическое моделирование тонкопленочного ИК-светодиода на основе коллоидных квантовых точек = Optical modeling of thin film IR quantum dot light emitting diode / У. Е. Туровец // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 63–66. |
| Abstract: | В данной работе проведено моделирование оптических процессов в структуре тонкопленочного ИК-светодиода методом конечной разности во временной области. Исследованы такие параметры, как пропускание, эффективность распространения электромагнитных волн в диапазоне 1,25–1,35 мкм. Показано, что коэффициент пропускания уменьшается при прохождении функциональных слоев до 35%. В заключение предложены стратегии оптимизации функциональных слоев. |
| Alternative abstract: | In this work, optical processes in the structure of a thin-film IR QLED were modeled using the FDTD method. Parameters such as transmission and propagation efficiency of electromagnetic waves in the range of 1.25–1.35 microns have been studied. It is shown that the transmission coefficient decreases with the passage of functional layers up to 35%. In conclusion, strategies for optimizing functional layers are proposed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58836 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
