| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Севастополь | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-29T06:36:54Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-29T06:36:54Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Абрамов, И. И. Инструментарий для расчета полевых транзисторов на основе двухслойного графена / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. А. Лабунов // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2024) = Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo'2024) : сборник научных трудов 34-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 8–14 сентября 2024 г. / Севастопольский государственный университет. – Севастополь, 2024. – Вып. 6. – С. 98–99. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58929 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлен инструментарий, реализующий квантовую диффузионно-дрейфовую модель полевого транзистора (ПТ) на двухслойном графене (ДГ). С его помощью проведено моделирование вольтамперных характеристик ПТ на ДГ с различными диэлектриками верхнего затвора. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | СевГУ | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | наноэлектроника | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.subject | двухслойный графен | en_US |
| dc.subject | полевой транзистор | en_US |
| dc.title | Инструментарий для расчета полевых транзисторов на основе двухслойного графена | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
