| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Батура, М. П. | - |
| dc.contributor.author | Ермак, В. О. | - |
| dc.coverage.spatial | Севастополь | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-29T06:44:17Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-29T06:44:17Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Инструментарий для расчета характеристик гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, М. П. Батура, В. О. Ермак // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2024) = Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo'2024) : сборник научных трудов 34-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 8–14 сентября 2024 г. / Севастопольский государственный университет. – Севастополь, 2024. – Вып. 6. – С. 112–113. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58930 | - |
| dc.description.abstract | В работе рассмотрен инструментарий, предназначенный для моделирования характеристик гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен с вертикальным транспортом. С его помощью промоделированы структуры на основе материальной системы GaN/SiC с учетом различия в задании гетерограниц Ga/Si и Ga/C. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | СевГУ | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | наноэлектроника | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.subject | гетероструктуры | en_US |
| dc.subject | GaN | en_US |
| dc.subject | SiC | en_US |
| dc.title | Инструментарий для расчета характеристик гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
