DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | - |
dc.contributor.author | Борздов, А. В. | - |
dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
dc.coverage.spatial | Севастополь | en_US |
dc.date.accessioned | 2025-01-29T07:02:41Z | - |
dc.date.available | 2025-01-29T07:02:41Z | - |
dc.date.issued | 2024 | - |
dc.identifier.citation | Моделирование неоднородности паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти / О. Г. Жевняк, А. В. Борздов, В. М. Борздов, И. И. Абрамов // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2024) = Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo'2024) : сборник научных трудов 34-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 8–14 сентября 2024 г. / Севастопольский государственный университет. – Севастополь, 2024. – Вып. 6. – С. 116–117. | en_US |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58932 | - |
dc.description.abstract | В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, являющихся базовыми элементами современных микросхем флеш-памяти, рассчитаны зависимости от координаты вдоль проводящего канала абсолютных и относительных величин паразитного туннельного тока. Показано, что наибольшее влияние на поведение полученных зависимостей оказывают распределения вдоль канала средней энергии электронов и разности уровней дна зон проводимости в кремнии и на плавающем затворе транзистора. | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | СевГУ | en_US |
dc.subject | публикации ученых | en_US |
dc.subject | численное моделирование | en_US |
dc.subject | метод Монте-Карло | en_US |
dc.subject | МОП-транзисторы | en_US |
dc.subject | флеш-память | en_US |
dc.title | Моделирование неоднородности паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|