| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лахина, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Черненко, Н. Е. | - |
| dc.contributor.author | Кириченко, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Шандыба, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Балакирев, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Солодовник, М. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Ростов-на-Дону | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-02-21T07:17:09Z | - |
| dc.date.available | 2025-02-21T07:17:09Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Исследование влияния режимов отжига подложки GaAs(lll) на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками = Investigation of the influence of annealing modes of the GaAs(III) surface on the characteristics of nanoholes formed by focused ion beams / Е. А. Лахина, Н. Е. Черненко, Д. В. Кириченко [и др.] // Компьютерные и информационные технологии в науке, инженерии и управлении «КомТех-2024» : материалы Всероссийской научно-технической конференции с международным участием : в 2 т. Т. 2 / Южный федеральный университет [и др.] ; отв. ред. С. И. Клевцов. – Ростов-на-Дону ; Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2024. – С. 113–120. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59175 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе проводится исследование влияния технологических режимов отжига подложек GaAs(III) на геометрические характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками. В отсутствие отжига и при отжиге в отсутствие потока мышьяка глубина и латеральный размер наноуглублений увеличиваются с увеличением количества проходов ионного пучка. В случае отжига подложек в потоке мышьяка зависимости глубины и латерального размера наноуглублений от количества проходов пучка являются немонотонными, что объясняется конкуренцией процессов травления поверхности каплями галлия при термическом сгоне окисла и кристаллизации капель в потоке мышьяка. Продемонстрированы технологические условия, позволяющие формировать высокосимметричные наноуглубления в форме треугольных пирамид/ | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Издательство Южного федерального университета | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | нанотехнологии | en_US |
| dc.subject | ионные пучки | en_US |
| dc.subject | арсенид галлия | en_US |
| dc.subject | квантовые точки | en_US |
| dc.title | Исследование влияния режимов отжига подложки GaAs(lll) на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками | en_US |
| dc.title.alternative | Investigation of the influence of annealing modes of the GaAs(III) surface on the characteristics of nanoholes formed by focused ion beams | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | In this paper, we study the effect of annealing of GaAs(III) substrates under various conditions on the morphological characteristics of nanoholesformed by focused ion beams. In the absence of annealing andwhen annealing in the absence ofthe arsenic flux, the depth and lateral size of nanoholes increase with the number ofion beam passes. In the case of annealing of the substrates in the arsenicflux, the dependences of the hole depth and lateral size on the number ofbeam passes is non-monotonic, which is attributed to the competition of the processes of surface etching by gallium droplets
during thermal oxide removal and droplet crystallization in the arsenicflux. We demonstrate technological conditions enablingformation ofhighly symmetric nanoholes in the form oftriangularpyramids. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерные и информационные технологии в науке, инженерии и управлении «КомТех-2024»
|
