https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59316| Title: | Арсенид-галлиевый выходной каскад быстродействующего операционного усилителя с входным p-n-p биполярным транзистором |
| Other Titles: | Gallium-arsenide output stage of high-speed operational amplifier with input p-n-p bipolar transistor |
| Authors: | Жук, А. А. Сергеенко, М. А. |
| Keywords: | материалы конференций;микроэлектроника;операционные усилители;транзисторы |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | Издательство Южного федерального университета |
| Citation: | Жук, А. А. Арсенид-галлиевый выходной каскад быстродействующего операционного усилителя с входным p-n-p биполярным транзистором = Gallium-arsenide output stage of high-speed operational amplifier with input p-n-p bipolar transistor / А. А. Жук, М. А. Сергеенко // Компьютерные и информационные технологии в науке, инженерии и управлении «КомТех-2024» : материалы Всероссийской научно-технической конференции с международным участием : в 2 т. Т. 2 / Южный федеральный университет [и др.] ; отв. ред. С. И. Клевцов. – Ростов-на-Дону ; Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2024. – С. 77–85. |
| Abstract: | Предлагаются схемы выходных каскадов (ВК) с входным GaAs биполярным транзистором для различных модификаций GaAs операционных усилителей, которые могут быть реализованы на совмещенном арсенид-галлиевом (GaAs) технологическом процессе, позволяющем создавать n-канальные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и GaAs биполярные p-n-p транзисторы. Приведены результаты сравнительного компьютерного моделирования статического режима, амплитудных и амплитудно-частотных характеристик ВК в среде LTspice. Предлагаемые схемотехнические решения рекомендуются для применения в GaAs микромощных операционных усилителях нового поколения, а также для использования в составе различных GaAs аналоговых микроэлектронных устройств, в т. ч. работающих в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. |
| Alternative abstract: | The schemes of output stages (OS) with input GaAs bipolar transistors for various modifications of GaAs operational amplifiers are proposed, which can be realized on the combined gallium-arsenide (GaAs) technological process allowing to create n channel field-effect transistors with control p-n junction and GaAs bipolar p-n-p transistors. The results of comparative computer modeling of static mode, amplitude and amplitude-frequency characteristics of OS in LTspice environment are presented. The proposed circuit solutions are recommended for application in GaAs micropower operational amplifiers of new generation, as well as for use in various GaAs analog microelectronic devices, including those operating under the influence of penetrating radiation and low temperatures. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59316 |
| Appears in Collections: | Компьютерные и информационные технологии в науке, инженерии и управлении «КомТех-2024» |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Zhuk_Arsenid.pdf | 588.33 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.