| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Русак, И. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-04-15T06:18:57Z | - |
| dc.date.available | 2025-04-15T06:18:57Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Русак, И. В. Определение информативных параметров методом корреляционного анализа = Identification of informative parameters by the method of correlation analysis / И. В. Русак // Технические средства защиты информации : материалы ХXIII Международной научно-технической конференции, Минск, 08 апреля 2025 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2025. – С. 277–280. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59511 | - |
| dc.description.abstract | Для индивидуального прогнозирования надежности полупроводниковых приборов большой мощности необходимо знать их информативные параметры. Поиск этих параметров выполняется с помощью различных экспериментальных исследований. В качестве транзисторов большой мощности использовались биполярные транзисторы КТ872А с измерением электрических параметров, которые могут оказаться информативными. Большой размер выборки транзисторов и большое число параметров обусловили очень большой объем данных, подлежащих обработке. Произведенная аналитика и корреляционный анализ параметров позволили сократить их число и тем самым упростить дальнейшие экспериментальные исследования при проведении ускоренных испытаний транзисторов на надежность, а также определить параметры, которые просты в измерении. В качестве метода аналитики и обработки данных был использован корреляционный анализ информативных параметров. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
| dc.subject | транзисторы | en_US |
| dc.subject | корреляционный анализ | en_US |
| dc.subject | прогнозирование | en_US |
| dc.title | Определение информативных параметров методом корреляционного анализа | en_US |
| dc.title.alternative | Identification of informative parameters by the method of correlation analysis | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | To individually predict the reliability of high-power semiconductor devices, it is necessary to know their informative parameters. The search for these parameters is carried out using various experimental studies. The high-power transistors used were KT872A bipolar transistors with measurement of electrical parameters, which may be informative. The large sample size of transistors and the large number of parameters led to a very large amount of data to be processed. The analysis and correlation analysis of the parameters made it possible to reduce their number and thereby simplify further experimental studies of transistors during accelerated reliability tests, as well as to determine parameters that are easy to measure. Correlation analysis of informative parameters was used as a method of data analysis and processing. | en_US |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2025
|
