Прогнозирование электрических функциональных параметров биполярных транзисторов для длительных наработок

Abstract

В работе на примере мощных биполярных транзисторов КТ872А показана возможность прогнозирования функциональных параметров биполярных транзисторов для длительных наработок путем использования электрических воздействий, в частности тока коллектора, в качестве имитационного фактора. Прогнозирование возможного значения электрического функционального параметра транзистора (например, коэффициента усиления) для длительной наработки в данном методе сводится к измерению в начальный момент времени у прогнозируемого экземпляра значения его электрического функционального параметра при значении тока коллектора (или обратного напряжения на коллекторе), соответствующим имитационному уровню для заданной наработки. Уровни рассчитывают по функции связи имитационного тока коллектора (или обратного напряжения) с заданной наработкой. Функцию связи получают с помощью предварительных исследования выборки транзисторов рассматриваемого типа. Использование тока или напряжения в качестве имитационных воздействий заметно уменьшают длительность процедуры прогнозирования электрического функционального параметра транзисторов в сравнении с использованием температуры в качестве имитационного воздействия. Предложенный метод не требует сложного и дорогостоящего оборудования, необходимого для получения имитационной температуры и поддержания ее постоянной при измерении функционального параметра прогнозируемого экземпляра.