https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59581| Title: | Спектрально-зарядовые свойства гетероструктуры пленка углеродных нанотрубок / кремний под воздействием инфракрасного излучения |
| Other Titles: | Spectral-charge properties of carbon nanotube film/silicon heterostructure under infrared radiation |
| Authors: | Курапцова, А. А. Данилюк, А. Л. |
| Keywords: | материалы конференций;защита информации;углеродные нанотрубки;пленки;кремний;оксид кремния;гетероструктуры;инфракрасное излучение;зарядовые свойства;ловушки;моделирование;детекторы |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Курапцова, А. А. Спектрально-зарядовые свойства гетероструктуры пленка углеродных нанотрубок / кремний под воздействием инфракрасного излучения = Spectral-charge properties of carbon nanotube film/silicon heterostructure under infrared radiation / А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк // Технические средства защиты информации : материалы ХXIII Международной научно-технической конференции, Минск, 08 апреля 2025 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2025. – С. 197–201. |
| Abstract: | В работе путем компьютерного моделирования в программном пакете Comsol Multiphysics исследуются спектрально-зарядовые свойства гетероструктуры пленка одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) //-типа проводимости на кремниевой подложке //-типа проводимости в диапазоне толщин пленки ОУНТ d от 10 до 50 нм в условиях падающего на пленку излучения длиной волны 750 нм с плотность мощности 1 кВт/м2. Учтено наличие ловушечных состояний в объеме слоя SiO2 на поверхности кремниевой пластины. Было рассчитано распределение скоростей генерации и концентрации носителей заряда в гетероструктуре, зависимости плотности заряда о и электрического потенциала Vs на поверхности пленки ОУНТ от энергии Et ловушечных состояний на поверхности пленки и от толщины пленки d. Также было выявлено отличие в значениях Vs при отсутствии падающего на гетероструктуру излучения и при его наличии, наибольшее различие обнаружено для толщины пленки d= 20 нм и энергии £/=0,1 эВ. Полученные результаты поспособствуют разработке детекторов ИК- излучения. |
| Alternative abstract: | In this work, the spectral and charge properties of a heterostructure film of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) of n-type conductivity on a silicon substrate of n-type conductivity are investigated by means of computer modeling in the Comsol Multiphysics software package in the range of SWCNT film thicknesses d from 10 to 50 nm under radiation on the film with a wavelength of 750 nm and a power density of 1 kW/m2. The presence of trap states in the bulk of the SiO2 layer on the surface of the silicon wafer is taken into account. The distribution of the generation rates and concentration of charge carriers in the heterostructure, the dependences of the charge density a and the electric potential Vs on the surface of the SWCNT film on the energy Et of trap states on the film surface and on the film thickness d were calculated. A difference in the Vs values was also revealed in the absence of radiation incident on the heterostructure and in its presence; the greatest difference was found for a film thickness d=20 nm and energy Et=0.1 eV. The results obtained will contribute to the development of IR radiation detectors. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59581 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2025 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Kurapcova_Spektralno.pdf | 357.91 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.