Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6100
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.date.accessioned2016-03-17T09:13:03Z-
dc.date.accessioned2017-07-25T08:39:49Z-
dc.date.available2016-03-17T09:13:03Z-
dc.date.available2017-07-25T08:39:49Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationМищенко, В. Н. Исследование характеристик переноса электронов в GaAs транзисторах диапазона КВЧ // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов ХIII Белорусско-российской научно-технической конференции, 4–5 мая 2015 г., Минск. - Минск: БГУИР, 2015. - С. 71-72ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6100-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectматериал GaAsru_RU
dc.subjectКВЧ диапазонru_RU
dc.subjectтранзисторru_RU
dc.titleИсследование характеристик переноса электронов в GaAs транзисторах диапазона КВЧru_RU
dc.typeThesisru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2015

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Mishchenko_Issledovaniye.PDF404.99 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.