| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-08-08T11:42:08Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T09:38:56Z | - |
| dc.date.available | 2014-08-08T11:42:08Z | |
| dc.date.available | 2017-07-19T09:38:56Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Ловшенко, И. В. Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C. 85-86 | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-038-5 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/618 | - |
| dc.description.abstract | С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных микросхем (ИМС),а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится важной для производителей коммерческой микроэлектроники. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | биполярный транзистор с изолированным затвором | ru_RU |
| dc.subject | конструкция | ru_RU |
| dc.subject | технология изготовления | ru_RU |
| dc.subject | оптимизация | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.title | Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|
