Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6288
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШуринов, К. Г.-
dc.date.accessioned2016-04-01T09:38:10Z-
dc.date.accessioned2017-07-19T11:45:45Z-
dc.date.available2016-04-01T09:38:10Z-
dc.date.available2017-07-19T11:45:45Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationШуринов, К. Г. Электрический пробой тонких пленок MOSFET транзисторов / К. Г. Шуринов // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХII Белорусско-российской научно-технической конференции, 28–29 мая 2014 г., Минск. – Минск : БГУИР, 2014. — С. 66.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6288-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectэлектрический пробой тонких пленокru_RU
dc.subjectтонкие пленкиru_RU
dc.subjectMOSFET транзисторыru_RU
dc.titleЭлектрический пробой тонких пленок MOSFET транзисторовru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2014

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shurinov_Elektricheskiy.PDF326.74 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.