| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Козлова, О. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-09-01T08:37:12Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.available | 2014-09-01T08:37:12Z | |
| dc.date.available | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Козлова, О. А. Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - С. 46-47 | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-038-5 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/642 | - |
| dc.description.abstract | Представлен анализ результатов теоретических и прикладных исследований по изучению электронных и магнитных свойств квазидвухмерных структур халькогенидов переходных материалов V группы (MeX2, где Me - V, Nb, Ta, X - S, Se, Te) в том числе, полученных с использованием первопринципных методов моделирования | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | квазидвухмерные структуры | ru_RU |
| dc.subject | халькогениды переходных материалов | ru_RU |
| dc.subject | электронные свойства | ru_RU |
| dc.subject | микроэлектронные устройства | ru_RU |
| dc.title | Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|
