| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-05-20T07:34:06Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:33:09Z | - |
| dc.date.available | 2016-05-20T07:34:06Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:33:09Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Перспективные полупроводниковые соединения и наноструктуры для оптоэлектроники, фотовольтаики и спинтроники / А. В. Кривошеева // Доклады БГУИР. - 2016. - № 3 (97). - С. 12 - 17. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6896 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты расчетов и системного анализа свойств полупроводниковых
соединений, представляющих интерес для изготовления новых наноэлектронных приборных
структур. Рассмотрены классы полупроводниковых соединений AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI
и AVIBVI2, на основании анализа их характеристик выбраны наиболее перспективные
и сделаны выводы о возможности их использования в оптоэлектронике, фотовольтаике
и спинтронике. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | электронный переход | ru_RU |
| dc.subject | спиновая поляризация | ru_RU |
| dc.subject | оптическая функция | ru_RU |
| dc.subject | оптоэлектроника | ru_RU |
| dc.subject | спинтроника | ru_RU |
| dc.subject | солнечные элементы | ru_RU |
| dc.subject | electronic transition | ru_RU |
| dc.subject | the spin polarization of the optical function | ru_RU |
| dc.subject | optoelectronics | ru_RU |
| dc.subject | spintronics | ru_RU |
| dc.subject | solar elements | ru_RU |
| dc.title | Перспективные полупроводниковые соединения и наноструктуры для оптоэлектроники, фотовольтаики и спинтроники | ru_RU |
| dc.title.alternative | Prospective semiconducting compounds and nanostructures for optoelectronics, photovoltaics and spintronics | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of calculations and system analysis of the properties of semiconducting compounds
attractive for the fabrication of novel nanoelectronic devices are presented. The classes of
semiconducting compounds of AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI and AVIBVI are considered, the most
promising compounds are chosen on the base of the analysis of their properties and recommendations
about possibility of their use in optoelectronics, photovoltaics and spintronics are made. | - |
| Appears in Collections: | №3 (97)
|
