| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-08-16T07:27:56Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:33:45Z | - |
| dc.date.available | 2016-08-16T07:27:56Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:33:45Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. - 2016. - № 4 (98). - С. 98 - 101. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8277 | - |
| dc.description.abstract | Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена)
мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура
уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в
объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как их
монослои, а также соединения MoS2-xTex при x < 0,5 либо x > 1,5 становятся прямозонными.
В случае, когда концентрация атомов теллура меньше концентрации атомов серы, ширина
запрещенной зоны тройного соединения линейно уменьшается с повышением концентрации
атомов теллура. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | дисульфид молибдена | ru_RU |
| dc.subject | мономолекулярный слой | ru_RU |
| dc.subject | электронная структура | ru_RU |
| dc.subject | запрещенная зона | ru_RU |
| dc.subject | molybdenum disulfide | ru_RU |
| dc.subject | monolayer | ru_RU |
| dc.subject | electronic structure | ru_RU |
| dc.subject | band gap | ru_RU |
| dc.title | Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура | ru_RU |
| dc.title.alternative | MoS2 band gap modification upon replacement of sulfur atoms by tellurium ones | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The electron energy band gap in one monomolecular layer of molybdenum dichalcogenide
MoS2 is reduced upon substitution of S atoms by Te ones from 1,84 to 1,17 eV in the case of MoTe2.
Both MoTe2 and MoS2 compounds in a bulk phase are indirect-gap semiconductors while one
monomolecular layer of MoS2-xTex compounds are transforming into direct-gap compounds for x < 0,5
or x > 1,5. The band gap dependence has a linear behavior in the case when the concentration of Te
atoms is smaller than the concentration of S atoms. | - |
| Appears in Collections: | №4 (98)
|
