Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8283
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЧубенко, Е. Б.-
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.-
dc.contributor.authorТопалли, К.-
dc.contributor.authorОкяй, А. К.-
dc.date.accessioned2016-08-16T10:57:54Z-
dc.date.accessioned2017-07-13T06:33:44Z-
dc.date.available2016-08-16T10:57:54Z-
dc.date.available2017-07-13T06:33:44Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationЧубенко, Е. Б. Формирование тонких пленок оксида цинка комбинированным методом гидротермального и послойного атомного осаждения / Е. Б. Чубенко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 4 (98). - С. 28 - 34.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8283-
dc.description.abstractИсследованы свойства и показана возможность получения тонких сплошных пленок оксида цинка химическим гидротермальным методом на поверхности подложек монокристаллического кремния с затравочным слоем оксида цинка, сформированным методом послойного атомного осаждения. Полученные гибридные структуры из оксида цинка состоят из вертикально ориентированных кристаллитов оксида цинка, образующих компактную сплошную пленку. Проведены измерения оптических и электрических свойств полученных пленок. Показано, что пленки оксида цинка демонстрируют фотолюминесценцию в видимом диапазоне электромагнитного спектра с максимумом на длине волны 600–700 нм, связанную с наличием структурных дефектов, и в ближнем УФ- диапазоне с максимумом около 380 нм, связанную с излучательной межзонной рекомбинацией. Удельное сопротивление полученных пленок составляет 0,7 Ом·см.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectоксид цинкаru_RU
dc.subjectгидротермальное осаждениеru_RU
dc.subjectпослойное атомное осаждениеru_RU
dc.subjectфотолюминесценцияru_RU
dc.subjectрентгеновская дифрактометрияru_RU
dc.subjectzinc oxideru_RU
dc.subjecthydrothermal depositionru_RU
dc.subjectatomic layer depositionru_RU
dc.subjectphotoluminescenceru_RU
dc.subjectX-ray diffractionru_RU
dc.titleФормирование тонких пленок оксида цинка комбинированным методом гидротермального и послойного атомного осажденияru_RU
dc.title.alternativeFormation of zinc oxide thin films by combined method of hydrothermal and layered atom depositionru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationProperties and deposition of continuous thin zinc oxide films by chemical on the monocrystalline silicon substrates with zinc oxide seed layer formed by atomic layer deposition are studied. Obtained hybrid zinc oxide structures consist of vertically oriented crystallites packed in uniform continuous film. Optical and electrical properties of the films are measured. It is shown, that deposited zinc oxide films demonstrate photoluminescence in the visible range of electromagnetic spectra with maximum at 600–700 nm. Luminescence band in the near UV region at 380 nm, associated with band-to-band radiative recombination, is also measured. The resistivity of the obtained zinc oxide films is about 0.7 Ohm·cm.-
Appears in Collections:№4 (98)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Chubenko_Formirovaniye.PDF906.28 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.