DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Бужинский, А. Д. | - |
dc.date.accessioned | 2016-10-04T07:52:53Z | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-17T09:30:56Z | - |
dc.date.available | 2016-10-04T07:52:53Z | - |
dc.date.available | 2017-07-17T09:30:56Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Бужинский, А. Д. Анализ физических причин необратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии ЭМИ / А. Д. Бужинский // Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных средств : сборник материалов 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 6–10 мая 2013 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Боднарь И. В. [и др.]. – Минск, 2013. – С. 226–228. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9221 | - |
dc.description.abstract | Анализ физических причин необратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии ЭМИ позволяет
сделать вывод о весьма сложном процессе их деградации, в котором преобладающее влияние оказывает тепловой меха-
низм отказов. Для p-n-переходов этапы этого процесса можно кратко записать в виде: ЭМИ – наведённые помехи – изме-
нение протекающего тока – электрический (лавинный) пробой – тепловой пробой – выгорание. Тепловому пробою обычно
предшествует электрический пробой, но для широких переходов тепловой пробой может наступить, минуя электрический. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | полупроводниковые структуры | ru_RU |
dc.subject | тепловые механизмы | ru_RU |
dc.subject | ЭМИ | ru_RU |
dc.title | Анализ физических причин необратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии ЭМИ | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Appears in Collections: | Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2013)
|