| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бужинский, А. Д. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-10-04T08:44:50Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-17T09:30:54Z | - |
| dc.date.available | 2016-10-04T08:44:50Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-17T09:30:54Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Бужинский, А. Д. Виды отказов активных элементов интегральных схем / А. Д. Бужинский // Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных средств : сборник материалов 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 6–10 мая 2013 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Боднарь И. В. [и др.]. – Минск, 2013. – С. 228–229. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9230 | - |
| dc.description.abstract | Ранние отказы активных элементов (АЭ), имеющие место в первые несколько сотен часов работы, вызваны, как
правило, дефектами в окисле (проколами), вследствие которых образовались паразитные диффузионные области или
короткое замыкание металлизации с кремнием, загрязнениями окисла, вызывающими повышенные токи утечки р-п-
переходов | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | активные элементы | ru_RU |
| dc.subject | интегральные схемы | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые интегральные схемы | ru_RU |
| dc.title | Виды отказов активных элементов интегральных схем | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2013)
|
