| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лушакова, М. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-10-20T13:31:40Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-17T09:31:09Z | - |
| dc.date.available | 2016-10-20T13:31:40Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-17T09:31:09Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Лушакова, М. С. Особенности селективного травления кремния в плазме двухчастотного разряда / М. С. Лушакова // Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных средств : сборник материалов 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 6–10 мая 2013 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Боднарь И. В. [и др.]. – Минск, 2013. – С. 6. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9529 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты технологических испытаний разработанного и изготовленного разрядного устройства,
предназначенного для плазменного травления материалов, используемых в технологии микроэлектроники. Особенностью
организации процесса обработки является управляемое воздействие на поверхность материала химически активными
частицами, создаваемыми в условиях комбинированного (СВЧ и НЧ поля) разряда. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | селективное травление кремния | ru_RU |
| dc.subject | двухчастотные разряды | ru_RU |
| dc.title | Особенности селективного травления кремния в плазме двухчастотного разряда | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2013)
|
