| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2020 | Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030 | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н. |
| 2012 | Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схем | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б. |
| 2021 | Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030 | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Галкин, Я. Д.; Прокопенко, Н. Н. |
| 2011 | Испытание и исследование полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем : лаборатор. практикум по курсу «Полупроводниковые приборы и элементы интегр. микросхем» для студентов специальностей 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы», 1-41 01 03 «Квант. информ. системы» всех форм обучения | Гранько, С. В.; Дворников, О. В. |
| 2021 | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Кунц, А. В.; Прокопенко, Н. Н. |
| 2012 | Обеспечение радиационной стойкости аналоговых интегральных схем | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б. |
| 2016 | Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхем | Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2016 | Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов | Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В. |
| 2022 | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Кунц, А. В.; Павлючик, А. А. |
| 2024 | Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения | Галкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А. |
| 2023 | Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле | Кунц, А. В.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А. |
| 2019 | Радиационно- стойкий компаратор напряжений на базовом матричном кристалле МН2ХА030 | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В. |
| 2023 | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения | Галкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Прокопенко, Н. Н. |
| 2024 | Схемотехническое моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на переходные процессы в биполярных аналоговых микросхемах | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Ловшенко, И. Ю.; Чонг Тхань Нгуен |
| 2019 | Схемотехническое моделирование зарядочувствительного усилителя | Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В. |
| 2012 | Схемотехническое проектирование аналоговых интегральных микросхем : пособие по дисц. «Проектирование схемотехники интегральных микросхем» для студентов специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» всех форм обучения | Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н. |
| 2022 | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Галкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А. |
| 2021 | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Галкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Прокопенко, Н. Н. |
