| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Volchek, V. S. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-02-16T09:10:31Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-17T11:14:25Z | - |
| dc.date.available | 2017-02-16T09:10:31Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-17T11:14:25Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Volchek, V. S. Reactive ion etching parameters optimization in victory process / V. S. Volchek // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : сборник материалов 51-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 мая 2015 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2015. – С. 187. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909 | - |
| dc.description.abstract | A simulation of reactive ion etching (RIE) was carried out using Victory Process of Silvaco to study the influence of input
parameters such as ion beam focus and ions/neutrals ratio on the etch profile in silicon. | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | reactive ion | ru_RU |
| dc.subject | victory process | ru_RU |
| dc.subject | etching parameters optimization | ru_RU |
| dc.title | Reactive ion etching parameters optimization in victory process | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 51-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2015)
|
