Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909
Title: Reactive ion etching parameters optimization in victory process
Authors: Volchek, V. S.
Keywords: материалы конференций;reactive ion;victory process;etching parameters optimization
Issue Date: 2015
Publisher: БГУИР
Citation: Volchek, V. S. Reactive ion etching parameters optimization in victory process / V. S. Volchek // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : сборник материалов 51-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 мая 2015 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2015. – С. 187.
Abstract: A simulation of reactive ion etching (RIE) was carried out using Victory Process of Silvaco to study the influence of input parameters such as ion beam focus and ions/neutrals ratio on the etch profile in silicon.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909
Appears in Collections:Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 51-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2015)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Volchek_Reactive.PDF704.71 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.