Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/13182
Title: Влияние разрядов статического электричества на программное обеспечение, инсталлированное во встроенную flash-память микроконтроллеров
Other Titles: Influence of electrostatic discharge on code installed to flash-memory microcontroller
Authors: Пискун, Г. А.
Алексеев, В. Ф.
Piskun, G. A.
Alexeev, V. F.
Keywords: публикации ученых
Issue Date: 2012
Publisher: Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Citation: Пискун, Г. А. Влияние разрядов статического электричества на программное обеспечение, инсталлированное во встроенную flash-память микроконтроллеров / Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев // Радиоэлектроника и информатика. - 2012. - № 3 (58). - С. 8 - 12
Abstract: Рассматривается задача оценки влияния электростатических разрядов (ЭСР) на программное обеспечение (ПО), инсталлированное во встроенную flash-память микроконтроллеров (МК). Предложена методика проведения испытания flash-памяти МК на чувствительность к ЭСР, в котором учитываются ухудшения функциональных свойств МК при определенных значениях напряжения разряда. Проведены эксперименты подтверждающие адекватность разработанной методики.
Alternative abstract: Features of influence of the electrostatic categories for flash-memory of microcontrollers of type AT89C51RC is experimentally investigated. It is established that saved up for-number the static electricity, equal 6,4 kB, will lead to damage of 94 % of an information stored in flash-memory of microcontrollers. The technique of carrying out of test of flash-memory of microcontrollers on sensitivity to electrostatic categories is offered.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/13182
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Piskun_Vliyaniye.pdf575.94 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.