Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25780
Title: Свойства пленок SiO2, полученных прямым осаждением из ионных пучков
Authors: Святохо, С. В.
Keywords: материалы конференций;пленки SiO2;ионные пучки;прямое осаждение
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Святохо, С. В. Свойства пленок SiO2, полученных прямым осаждением из ионных пучков / С. В. Святохо // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : сборник материалов 53-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 2–6 мая 2017 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. ред. Раднёнок А. Л. – Минск, 2017. – С. 81–83.
Abstract: Исследовано влияние режимов нанесения на свойства покрытий из диоксида кремния, полученных прямым осаждением из ионных пучков ТЭОС и кислорода. Установлено, что увеличение давления кислорода приводит к росту пропускания и электрической прочности, уменьшению поглощения и диэлектрических потерь покрытий. Покрытия имели адгезию, соответствующую уровню 4В–5В ASTM в диапазоне анодного напряжения 55–125 В.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25780
Appears in Collections:Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 53-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2017)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Svyatokho_Svoystva.PDF547.58 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.