Разработка технологических принципов формирования темплатов SIO2/SI с вертикальными каналами в слое оксида кремния для создания двумерных магниточувствительных наноструктур ферромагнетик-полупроводник : отчет о НИР (заключ.)

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27641

Title:	Разработка технологических принципов формирования темплатов SIO2/SI с вертикальными каналами в слое оксида кремния для создания двумерных магниточувствительных наноструктур ферромагнетик-полупроводник : отчет о НИР (заключ.)
Authors:	Баранов, И. Л. Зимин, А. Б. Табулина, Л. В. Тымощик, А. С. Портнов, Л. Я. Русальская, Т. Г. Свергун, О. А.
Issue Date:	2016
Publisher:	БГУИР
Citation:	Разработка технологических принципов формирования темплатов SIO2/SI с вертикальными каналами в слое оксида кремния для создания двумерных магниточувствительных наноструктур ферромагнетик-полупроводник (заключительный) : отчет о НИР / БГУИР; научный руководитель И. Л. Баранов; отв. исполнитель А.Б.Зимин . – Минск, 2016. – 25 с. - № ГР 20142945
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27641
Appears in Collections:	Отчеты о НИР 2016

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
№ ГР 20142945 (14-3050)_Рук_НИР_Баранов.pdf Restricted Access		1.94 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy