Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия

Abstract

Описаны преимущества и недостатки применения нитрида галлия (GaN) по сравнению с другими полупроводниковыми материалами микроэлектроники. Показано, что высокая термическая, химическая и радиационная стойкость GaN позволяет использовать его для изготовления приборов, работающих при повышенных температурах и в экстремальных условиях, а его высокая теплопроводность упрощает охлаждение рабочей области. Определено, что сочетание высокой подвижности электронов и значительного поля пробоя делает его пригодным для изготовления мощных высокочастотных и высокотемпературных транзисторов. Рассмотрены конструктивные решения и технологические методы формирования приборных структур на основе GaN.