https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30765| Title: | Методы повышения устойчивости КМОП БИС к внешним воздействиям |
| Other Titles: | Methods of increasing CMOS VLSIs stability to radiation exposure |
| Authors: | Баранов, В. В. Прибыльский, А. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;МОП-транзисторы;спецстойкость микросхем |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Баранов, В. В. Методы повышения устойчивости КМОП БИС к внешним воздействиям / В. В. Баранов, А. В. Прибыльский // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 102 - 106. |
| Abstract: | Проанализировано влияние основных технологических операций на радиационно- чувствительные параметры КМОП БИС. Определены причины отказов БИС при импульсном воздействии γ-излучения и показано, что повысить их устойчивость к внешним воздействиям можно путем задания нормативных уровней разброса параметров активных элементов и модификации конструкции МОП-транзисторов. |
| Alternative abstract: | Influence of principal technological processes on radiation dependent parameters of CMOS LSIs has been analyzed. LSIs failure mechanisms are determined under γ-radiation pulse action. It is shown that LSIs stability may be increased with being given a certain levels of parameters distribution of active elements and modification of MOS transistor design. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30765 |
| Appears in Collections: | №1 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Baranov_Metody.pdf | 184.01 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.