Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем

Abstract

Для устранения эффекта снижения контрастности знаков совмещения в результате зараста- ния лунки при химическом осаждении пленки из газовой фазы предложено проводить фор- мирование дополнительных знаков совмещения по эпитаксиальному слою. С целью увели- чения точности определения ухода линейных размеров элементов в слое сформированной структуры, либо рассовмещения элементов, расположенных в различных слоях относитель- но друг друга, предлагается введение нониусов — специально разработанных тестовых эле- ментов, представляющих собой набор парных клинообразных элементов с равномерно увеличивающейся шириной перемычки по ряду. Описана методика применения данного теста и полученные при его использовании результаты.