DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
dc.contributor.author | Ануфриев, Л. П. | - |
dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
dc.contributor.author | Лесникова, В. П. | - |
dc.date.accessioned | 2018-04-04T13:16:08Z | - |
dc.date.available | 2018-04-04T13:16:08Z | - |
dc.date.issued | 2005 | - |
dc.identifier.citation | Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами / А. С. Турцевич и другие // Доклады БГУИР. - 2005.- № 1 (9). - С. 87 - 92. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30862 | - |
dc.description.abstract | Проведено исследование влияния условий получения пленок кремния на его структуру и мор-
фологию. Установлено, что в узких диапазонах температуры осаждения и парциального дав-
ления моносилана наблюдается осаждение аморфно-кристаллических пленок с кристаллитами
полусферической формы. Предложен механизм, объясняющий полученные результаты. Пока-
зано, что использование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами
в качестве нижней обкладки конденсатора позволяет увеличить эффективную площадь кон-
денсатора хранения ДОЗУ в 1,5–2,0 раза. Причем применение таких пленок возможно в стеко-
вых, этажерочных конденсаторах и конденсаторах в виде простой и сложной короны. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | интеллектуальные права | ru_RU |
dc.subject | программное обеспечение | ru_RU |
dc.subject | водяной знак | ru_RU |
dc.title | Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами | ru_RU |
dc.title.alternative | Polycrystalline silicon films with hemispherical grains | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | №1 (9)
|