| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Дудар, Н. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-06T08:19:56Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-06T08:19:56Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Дудар, Н. Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией / Н. Л. Дудар // Доклады БГУИР. - 2005. - № 2 (10). - С. 79 - 85. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30876 | - |
| dc.description.abstract | Моделирование полупроводниковых структур позволяет снизить затраты на изготовление
экспериментальных образцов и оптимизировать параметры элементов интегральных схем и
приборов. В данной работе представлены результаты моделирования кремниевого транзи-
стора со статической индукцией. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | моделирование | ru_RU |
| dc.subject | транзистор со статической индукцией | ru_RU |
| dc.subject | численный метод | ru_RU |
| dc.subject | технологический маршрут | ru_RU |
| dc.title | Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией | ru_RU |
| dc.title.alternative | Simulation of a Si based static induction transistor | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №2 (10)
|
