| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сенько, С. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Сенько, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Зеленин, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-28T07:21:03Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-28T07:21:03Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Сенько, С. Ф. Количественный контроль топографических дефектов полупроводниковых пластин кремния / С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин // Доклады БГУИР. - 2018. - № 5 (115). - С. 12 - 18. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32732 | - |
| dc.description.abstract | Проведен расчет светотеневых изображений поверхностей полупроводниковых пластин
кремния, полученных методом оптической топографии. Установлена количественная зависимость между
интенсивностью светотеневых пятен на топограмме и микрогеометрическими параметрами пластин.
Предложено программное обеспечение и критерии количественного 3D-контроля поверхностей пластин. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые пластины | ru_RU |
| dc.subject | оптическая топография | ru_RU |
| dc.subject | количественный контроль | ru_RU |
| dc.subject | расчет изображений | ru_RU |
| dc.subject | программное обеспечение контроля | ru_RU |
| dc.subject | semiconductor wafers | ru_RU |
| dc.subject | optical topography | ru_RU |
| dc.subject | quantitative characterization | ru_RU |
| dc.subject | image calculation | ru_RU |
| dc.subject | control software | ru_RU |
| dc.title | Количественный контроль топографических дефектов полупроводниковых пластин кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Quantitative characterization of topographic defects of semiconductor silicon wafers | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained
by Makyoh topography is carried out. A quantitative relationship between the intensity of the shadow spots
on the topogram and the micro geometric parameters of the silicon wafers has been established. The software
for quantitative 3D-control and control criteria of the silicon wafer surfaces is proposed. | - |
| Appears in Collections: | №5 (115)
|
