https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32732| Title: | Количественный контроль топографических дефектов полупроводниковых пластин кремния |
| Other Titles: | Quantitative characterization of topographic defects of semiconductor silicon wafers |
| Authors: | Сенько, С. Ф. Сенько, А. С. Зеленин, В. А. |
| Keywords: | доклады БГУИР;полупроводниковые пластины;оптическая топография;количественный контроль;расчет изображений;программное обеспечение контроля;semiconductor wafers;optical topography;quantitative characterization;image calculation;control software |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Сенько, С. Ф. Количественный контроль топографических дефектов полупроводниковых пластин кремния / С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин // Доклады БГУИР. - 2018. - № 5 (115). - С. 12 - 18. |
| Abstract: | Проведен расчет светотеневых изображений поверхностей полупроводниковых пластин кремния, полученных методом оптической топографии. Установлена количественная зависимость между интенсивностью светотеневых пятен на топограмме и микрогеометрическими параметрами пластин. Предложено программное обеспечение и критерии количественного 3D-контроля поверхностей пластин. |
| Alternative abstract: | The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh topography is carried out. A quantitative relationship between the intensity of the shadow spots on the topogram and the micro geometric parameters of the silicon wafers has been established. The software for quantitative 3D-control and control criteria of the silicon wafer surfaces is proposed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32732 |
| Appears in Collections: | №5 (115) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Sianko_Quantitative.pdf | 787 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.