Технология плазмохимического травления нитрида кремния при создании изоляции LOCOS для полупроводниковых приборов субмикронных проектных норм

Емельянов, В. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32841

Title:	Технология плазмохимического травления нитрида кремния при создании изоляции LOCOS для полупроводниковых приборов субмикронных проектных норм
Authors:	Емельянов, В. В.
Keywords:	материалы конференций;механизмы плазмохимического травления;плазма;селективность;изоляция LOCOS
Issue Date:	2018
Publisher:	БГУИР
Citation:	Емельянов, В. В. Технология плазмохимического травления нитрида кремния при создании изоляции LOCOS для полупроводниковых приборов субмикронных проектных норм / В. В. Емельянов // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем: сборник тезисов 54 научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23–27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. ред. Раднёнок А. Л. – Минск, 2018. – С. 141 - 142.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32841
Appears in Collections:	Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 54-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2018)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Emelianov_Tekhnologiya.pdf		563.9 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar