DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Окоджи, Д. Э. | - |
dc.date.accessioned | 2019-01-14T11:57:05Z | - |
dc.date.available | 2019-01-14T11:57:05Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Окоджи, Д. Э. Ионно-плазменное формирование конденсаторных структур на основе танталата стронция-висмута для элементов сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Д. Э. Окоджи ; науч. рук. Д. А. Голосов. - Минск : БГУИР, 2018. - 24 с. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34178 | - |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
dc.subject | сегнетоэлектрики | ru_RU |
dc.subject | танталат стронция-висмута | ru_RU |
dc.subject | ВЧ магнетронное распыление | ru_RU |
dc.title | Ионно-плазменное формирование конденсаторных структур на основе танталата стронция-висмута для элементов сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти | ru_RU |
dc.type | Автореферат | ru_RU |
Appears in Collections: | 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
|